15 timer · elektronikfokus.dk
100V N-kanal effekt-MOSFETs i 5,15mm x 6,1mm footprint baseret på U-MOS11-H processen
Sammenlignet med den tidligere TPH3R10AQM er drain-source on-modstanden (RDS(ON)) for ekesmpel blevet reduceret med omtrent 8% til kun 2,7mΩ (max.) mens gate-drain ladningen (Qg) nu er 37% lavere ved 52nC (typ.).
Læs artikel